Waktu dataran tinggi Miller hampir nol (lihat Gambar 3) dan total kerugian peralihan berkurang setidaknya 70%
Oct 19, 2022| Waktu dataran tinggi Miller hampir nol (lihat Gambar 3) dan total kerugian peralihan berkurang setidaknya 70%
Seperti yang ditunjukkan pada Tabel 1, dengan RDS(ON) yang sama, galium nitrida memiliki kapasitansi parasit yang lebih kecil, dan Ciss dan Crss masing-masing adalah 1/12 dan 1/23 dari Si CoolMOS, sehingga menghasilkan kecepatan peralihan yang lebih cepat. Pada lengan jembatan cepat BTPPFC, waktu tumpang tindih arus dan tegangan berkurang lebih dari 88% (lihat Gambar 2). Waktu dataran tinggi Miller hampir nol (lihat Gambar 3) dan total kerugian peralihan berkurang setidaknya 70%.
Coss InnoGaN lebih kecil dan memiliki linearitas yang lebih baik (lihat Gambar 4). Ketika Vds rendah, Coss GaN jauh lebih kecil dibandingkan Si MOS, dan Si akan mengalami proses mutasi kemiringan. Dapat dilihat dari bentuk gelombang sistem bahwa kerugian switching overlap GaN jauh lebih kecil dibandingkan Si MOS, dan Dv/dt GaN pada segmen t2-t3 lebih kecil dibandingkan Si MOS, sehingga Noise EMI yang dihasilkan juga lebih kecil.
