Transistor elektron tunggal
Nov 05, 2019| Tetap Mengisi Daya dengan Aman dengan SChitec
Transistor elektron tunggal
Transistor yang dapat merekam sinyal dengan satu atau sejumlah kecil elektron. Dengan berkembangnya teknologi dan proses etsa semikonduktor, integrasi sirkuit terpadu skala besar semakin tinggi. Dalam hal memori akses acak dinamis (DRAM), integrasinya hampir empat kali lebih cepat setiap dua tahun. Transistor elektron tunggal diharapkan menjadi tujuan akhir. Saat ini, memori umum berisi 200,000 elektron per sel memori, dan transistor elektron tunggal hanya berisi satu atau sejumlah kecil elektron per sel memori, sehingga akan sangat mengurangi konsumsi daya dan meningkatkan integrasi terintegrasi sirkuit. Pada tahun 1989, JHFScott-Thomas dkk. secara eksperimental menemukan penyumbatan Coulomb. Pada gas elektron dua dimensi yang dibentuk oleh antarmuka heterojungsi yang didoping, terbentuk elektroda logam dengan luas kecil, sehingga terbentuk titik kuantum pada gas elektron dua dimensi, yang hanya dapat menampung sejumlah kecil elektron. , yaitu kapasitansinya. Sangat kecil, kurang dari satu? F (10~15 Farah). Ketika tegangan diterapkan, jika perubahan tegangan menyebabkan perubahan muatan di titik kuantum menjadi kurang dari satu muatan elektron, tidak ada arus yang mengalir. Arus tidak mengalir hingga tegangan meningkat sehingga menyebabkan perubahan muatan elektron. Oleh karena itu, hubungan arus-tegangan bukanlah hubungan linier normal melainkan bentuk bertahap. Untuk pertama kalinya dalam sejarah, eksperimen ini mencapai kontrol manual atas gerakan elektron, memberikan dasar eksperimen untuk pembuatan transistor elektron tunggal. Untuk meningkatkan suhu pengoperasian transistor elektron tunggal, ukuran titik kuantum harus kurang dari 10 nanometer. Saat ini, berbagai laboratorium di seluruh dunia sedang memikirkan berbagai cara untuk mengatasi masalah ini. Beberapa laboratorium mengklaim telah memproduksi transistor elektron tunggal yang beroperasi pada suhu kamar, mengamati kurva arus-tegangan bertahap yang dibentuk oleh transpor elektron, tetapi pada jarak yang cukup jauh dari penggunaan praktis.


