Interpretasi dasar triode

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co, Ltd (SCitec) adalah perusahaan teknologi tinggi yang mengkhususkan diri dalam produksi dan penjualan aksesoris ponsel. Produk utama kami meliputi pengisi daya perjalanan, pengisi daya mobil, kabel USB, bank daya, dan produk digital lainnya. Semua produk aman dan andal, dengan gaya unik. Produk lulus sertifikat seperti CE,FCC,ROHS,UL,PSE,C-Tick, dll. , Jika anda berminat bisa langsung menghubungi ceo@schitec.com.

Tetap Mengisi Daya dengan Aman dengan SChitec

Interpretasi dasar triode

Transistor [1] (juga dikenal sebagai transistor) adalah istilah umum untuk penguat tiga pin dalam arti Cina. Triode yang sering kita ucapkan mungkin berupa beberapa perangkat seperti yang ditunjukkan.

Terlihat meskipun disebut triodes, namun ungkapan dalam bahasa Inggris sangat berbeda. Istilah triode sebenarnya adalah kosakata metaforis yang unik dalam bahasa Cina.

"Triode" (Transistor Elektronik) Ini adalah satu-satunya terjemahan bahasa Inggris dari "triode" dalam kamus Inggris-Cina. Hal ini terkait dengan kemunculan awal triode elektronik. Ini adalah item asli dari kata triode. Perangkat lainnya yang disebut triode dalam bahasa Cina tidak dapat diterjemahkan ke dalam Triode ketika sebenarnya diterjemahkan.

Triode elektronik Triode (umumnya dikenal sebagai tabung)

Transistor Bipolar BJT (Transistor Persimpangan Bipolar)

Transistor efek medan tipe-J Gerbang persimpangan FET (Field Effect Transistor)

Transistor Efek Medan Semi-Konduktor Oksida Logam

Transistor efek medan parit tipe V VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor)

Catatan: Ketiganya tampaknya merupakan FET. Faktanya, MOSFET dan FET saluran-V bersifat Unipolar dan berhubungan dengan Bipolar. Mereka juga dapat secara kolektif disebut sebagai Transistor Persimpangan Unipolar.

FET tipe-J adalah FET non-terisolasi, dan FET MOS dan VMOS adalah FET berinsulasi.

VMOS adalah jenis baru transistor daya arus tinggi, pembesaran tinggi (lintas saluran) yang ditingkatkan berdasarkan MOS. Perbedaannya adalah slot berbentuk V digunakan untuk meningkatkan faktor amplifikasi dan arus operasi transistor MOS secara signifikan, tetapi juga meningkatkan secara signifikan. Kapasitansi masukan MOS adalah produk tabung MOS yang ditingkatkan daya tinggi, tetapi strukturnya sangat berbeda dari MOS tradisional. VMOS hanya ditingkatkan dan tidak memiliki transistor MOS deplesi yang unik untuk MOS.